Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BH20K-S
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BH20K
IRG4BH20K-S Hakkında
IRG4BH20K-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maximum 11A collector akımı ve 60W güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin Vce(on) değeri 4.3V'tür. 28nC gate charge ve 23ns/93ns açılış/kapanış gecikmesi ile endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve switched-mode güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Pulsed akım 22A'ye çıkabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 450µJ (on), 440µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/93ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok