Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4BH20K-LPBF

IGBT 1200V 11A 60W TO262

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IRG4BH20K

IRG4BH20K-LPBF Hakkında

IRG4BH20K-LPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 11A sürekli akım ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 60W güç sınırlaması ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlarken, 23ns açılma ve 93ns kapanma süreleri yüksek frekans uygulamalarına imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, through-hole montajı destekler. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete). Teknisyen ve mühendisler benzer fonksiyon için güncel alternatifleri değerlendirmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 11 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 22 A
Gate Charge 28 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power - Max 60 W
Supplier Device Package TO-262
Switching Energy 450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 23ns/93ns
Test Condition 960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok