Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BH20K-L
IGBT 1200V 11A 60W TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BH20K
IRG4BH20K-L Hakkında
IRG4BH20K-L, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 11A DC collector akımı ve 22A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 60W maksimum güç seviyesinde çalışan transistör, endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Vce(on) 4.3V @ 15V, 5A koşullarında ölçülür. Collision Energy değerleri 450µJ (açılış) ve 440µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Switching Energy | 450µJ (on), 440µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/93ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.3V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok