Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4BC30WSTRR

IGBT D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRG4BC30W

IRG4BC30WSTRR Hakkında

IRG4BC30WSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 600V collector-emitter breakdown voltajına ve maksimum 23A collector akımına sahiptir. 2.7V Vce(on) değeri ile 15V gate voltajında 12A akımda çalışmaktadır. Maksimum 100W güç dağılımı kapasitesi bulunan bu IGBT, güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, invertör ve konvertör tasarımlarında kullanılır. Yüksek voltaj ve akım kapasitesi ile kompakt paket tasarımı, endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilen bir çözümdür. Ürün şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok