Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4BC30W-S

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRG4BC30W

IRG4BC30W-S Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4BC30W-S, 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 23A DC kolektör akımı ve 92A darbe akımı kapasitesi ile düşük ila orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK yüzey montajlı paket ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve elektrik pano kontrollerinde yer almaktadır. 2.7V açık durumda gerilim düşüşü ve 25ns açılış, 99ns kapanış zamanları ile belirlenmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ortamlar için uygunluğunu sağlar. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 92 A
Gate Charge 51 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 130µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/99ns
Test Condition 480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok