Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4BC30U-S

IGBT 600V 23A 100W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
IRG4BC30U

IRG4BC30U-S Hakkında

IRG4BC30U-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 23A DC ve 92A pulse kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 100W güç dağıtımı için tasarlanmış olup, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 50nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri ve 17ns açılış, 78ns kapanış zamanı ile 480V, 12A koşullarında verimli çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 12A kolektör akımında 2.1V'dur. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve benzer yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Bileşen üretimden çekilmiş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 23 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 92 A
Gate Charge 50 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 160µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 17ns/78ns
Test Condition 480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok