Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC30KD-STRR
IGBT 600V 28A 100W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC30KD
IRG4BC30KD-STRR Hakkında
IRG4BC30KD-STRR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 28A sürekli kolektör akımı ve 58A darbe akımı kapasitesiyle, maksimum 100W güç dağıtabilir. D2PAK (TO-263AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. 67nC gate charge ve 60ns/160ns açılış/kapanış zamanı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç elektronikleri, motor kontrol sürücüleri, enerji dönüştürme ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça durumu: Kullanım dışı.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 28 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 58 A |
| Gate Charge | 67 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 600µJ (on), 580µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 60ns/160ns |
| Test Condition | 480V, 16A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 16A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok