Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC30FDSTRRP
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC30FD
IRG4BC30FDSTRRP Hakkında
IRG4BC30FDSTRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A maksimum kolektör akımı ve 120A pulse akım kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount D2PAK paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 100W maksimum güç dağıtımı, 51nC gate charge ve düşük Vce(on) gerilimi (1.8V @ 15V, 17A) ile verimli anahtarlama sağlar. Ters kurtarma süresi 42ns, açılış enerjisi 630µJ ve kapanış enerjisi 1.39mJ'dir. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve indüktif yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Parça durumu kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 42ns/230ns |
| Test Condition | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok