Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC30FDPBF
IGBT 600V 31A 100W TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC30FD
IRG4BC30FDPBF Hakkında
IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, 31A maksimum collector akımı ve 100W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. 124A pulse collector akımı destekler. Gate charge değeri 51nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Uygulamalara bağlı olarak giriş türü Standard seviyesindedir. Ters recovery süresi 42ns ve switching energy değerleri (on: 630µJ, off: 1.39mJ) ile bu IGBT, güç elektroniklerinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı vardır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 124 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 42ns/230ns |
| Test Condition | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok