Transistörler - IGBT - Tekil

IRG4BC30FD1PBF

IGBT 600V 31A 100W TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IRG4BC30FD

IRG4BC30FD1PBF Hakkında

IRG4BC30FD1PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) türü tekil transistördür. TO-220-3 paketinde gelen bu komponent, 31A maksimum collector akımı ve 100W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 1.8V Vce(on) değeriyle düşük ileri voltaj düşüşü sağlar. Gating işlemi için 15V kontrol voltajı ve 57nC gate charge gerektirmektedir. Switching hızı Td(on) 22ns ve Td(off) 250ns olup, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama kaybını minimize eder. 46ns reverse recovery time ile diyot kurtarma özelliği iyidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığını destekler. Motor sürücüler, DC-DC konvertörler, inverterler ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen şu anda discontinued (sürüm dışı) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 31 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 124 A
Gate Charge 57 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power - Max 100 W
Reverse Recovery Time (trr) 46 ns
Supplier Device Package TO-220AB
Switching Energy 370µJ (on), 1.42mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 22ns/250ns
Test Condition 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok