Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC30FD-S
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC30FD
IRG4BC30FD-S Hakkında
IRG4BC30FD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 31A nominal collector akımı ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket tasarımı ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 51nC gate charge değeri ile kontrol devreleri için düşük sürüş gücü gereksinimi sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanım için tasarlanmıştır. Invertör, motor kontrol, kaynak makinaları ve AC/DC dönüştürücü devreleri gibi alanlarda yer bulur. Üretici tarafından 'Obsolete' olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 42ns/230ns |
| Test Condition | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok