Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC30F-S
IGBT 600V 31A 100W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC30F
IRG4BC30F-S Hakkında
IRG4BC30F-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A sürekli collector akımı ve 120A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketinde sunulur. Maksimum 100W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Hızlı switching karakteristiğine (21ns açılış, 200ns kapanış) ve düşük on-state voltajına (1.8V @ 17A) sahiptir. Motor kontrol, güç dönüştürücüleri, inverterler ve PWM uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Gate charge değeri 51nC olup, 51mJ açılış ve 1.18mJ kapanış enerji kaybı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 230µJ (on), 1.18mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/200ns |
| Test Condition | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok