Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC20SD-SPBF
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC20SD
IRG4BC20SD-SPBF Hakkında
IRG4BC20SD-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 19A sürekli kolektör akımı ve 38A pulsed akımı ile çalışabilen bu bileşen, 60W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan komponent, düşük Vce(on) değeri (1.6V @ 15V, 10A) ile verimli anahtarlama sağlar. 27nC gate charge ve 37ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 19 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 38 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 320µJ (on), 2.58mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 62ns/690ns |
| Test Condition | 480V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok