Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC20SD-S
IGBT 600V 19A 60W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC20SD
IRG4BC20SD-S Hakkında
IRG4BC20SD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 19A sürekli akım ve 38A darbe akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulur. 60W güç dissipasyonu ve 27nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 1.6V'tur. 62ns açılma ve 690ns kapanma süresi ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Not: Ürün durumu Obsolete (terk edilmiş) olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 19 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 38 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 320µJ (on), 2.58mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 62ns/690ns |
| Test Condition | 480V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok