Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC20SD
IGBT 600V 19A 60W TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC20SD
IRG4BC20SD Hakkında
IRG4BC20SD, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 19A sürekli kolektör akımı ve 38A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 60W güç dağıtabilir. 1.6V @ 15V, 10A seviyesinde vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 27nC gate charge ve 62ns açılış / 690ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler gibi uygulamalarda kullanılan anahtarlama elemanı olarak tasarlanmıştır. Bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 19 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 38 A |
| Gate Charge | 27 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 60 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 320µJ (on), 2.58mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 62ns/690ns |
| Test Condition | 480V, 10A, 50Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok