Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC10SDPBF
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC10SD
IRG4BC10SDPBF Hakkında
IRG4BC10SDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 15nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 8A akımda 1.8V olarak belirtilmiştir. 28ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve açık kolektör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün yaşı eski olup (Obsolete statüsü) yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok