Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC10SD-SPBF
IRG4BC10 - DISCRETE IGBT WITH AN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC10
IRG4BC10SD-SPBF Hakkında
IRG4BC10SD-SPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip ayrık IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 14A maksimum collector akımı (18A pulse) kapasitesiyle tasarlanmış olup, 38W maksimum güç tüketimine sahiptir. TO-263 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, 76ns açılış ve 815ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve inverter tasarımlarında kullanılır. 15nC gate charge ve 28ns reverse recovery time özellikleriyle verimli komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok