Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC10SD-S
IGBT 600V 14A 38W D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC10SD
IRG4BC10SD-S Hakkında
IRG4BC10SD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 15nC gate charge ve 76ns/815ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar. Enerji dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok