Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC10SD-L
IGBT 600V 14A 38W TO262
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC10SD
IRG4BC10SD-L Hakkında
IRG4BC10SD-L, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç yönetim kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-262-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 15nC gate charge ile düşük sürüş gereksinimi sağlayan bu IGBT, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Td(on) 76ns ve Td(off) 815ns değerleriyle kontrollü anahtarlama davranışı gösterir. 1.8V Vce(on) ile minimum enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel güç elektronikleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Üretim durdurulmuş (Obsolete) ürün olup, alternatif bileşen seçimi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok