Transistörler - IGBT - Tekil
IRG4BC10SD
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IRG4BC10SD
IRG4BC10SD Hakkında
IRG4BC10SD, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V sınıfı IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent 14A sürekli collector akımı ve 18A pulse akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Maksimum 38W güç dağıtımına uygun olan bu IGBT, anahtarlama uygulamalarında, elektrik motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 15nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 76ns açılış ve 815ns kapanış süresi ile yüksek frekans uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenli işletme sağlar. Eski ürün (Obsolete) statüsünde olmasına rağmen endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Gate Charge | 15 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 38 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 28 ns |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Switching Energy | 310µJ (on), 3.28mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 76ns/815ns |
| Test Condition | 480V, 8A, 100Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok