Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRFI4212H-117PXKMA1

MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
IRFI4212H

IRFI4212H-117PXKMA1 Hakkında

IRFI4212H-117PXKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-5 paketinde sunulan bu bileşen, 100V Drain-Source voltaj ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 72.5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, motor kontrolü, dc-dc dönüştürücüler, elektrik sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Gate charge 18nC ve input kapasitesi 490pF özelikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Part Status Active
Power - Max 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok