Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRFI4019HG-117P
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- IRFI4019HG
IRFI4019HG-117P Hakkında
IRFI4019HG-117P, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-5 paketlemesi ile sağlanan bu bileşen, 150V Drain-Source gerilimi ve 8.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 95mΩ maksimum On-Resistance değeri (Vgs=10V, Id=5.2A koşullarında) düşük güç kaybı sağlar. 810pF Input Capacitance ve 20nC Gate Charge özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. 18W maksimum güç disipasyonu ile güç elektronikleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Bileşen Through Hole montajına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 18W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-5 Full-Pak |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok