Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRFHM8363TR2PBF
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IRFHM8363
IRFHM8363TR2PBF Hakkında
IRFHM8363TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V Vdss ve 11A drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (14.9mOhm @ 10A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli şekilde kullanılır. Logic Level Gate özelliği ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. Surface mount 8-PQFN paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 2.7W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Ürün obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok