Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRFHE4250DTRPBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 32-PowerVFQFN
- Seri / Aile Numarası
- IRFHE4250
IRFHE4250DTRPBF Hakkında
IRFHE4250DTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel HEXFET power MOSFET'tir. 25V drain-source voltaj derecesi ile 86A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2.75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 32-pin PowerVFQFN (6x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Yüksek hız anahtarlama özelliği ve düşük gate charge (20nC @ 4.5V) ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A (Tc), 303A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 32-PowerVFQFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | 32-PQFN (6x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok