Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Paket/Kılıf
32-PowerVFQFN
Seri / Aile Numarası
IRFHE4250

IRFHE4250DTRPBF Hakkında

IRFHE4250DTRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj ile 86A/303A sürekli dren akımı kapasitesine sahip logic level gate özelliğine sahiptir. 2.75mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. 32-PQFN (6x6) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, LED kontrolü ve DC-DC dönüştürücü gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Bileşen üretim sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86A, 303A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 32-PowerWFQFN
Part Status Obsolete
Power - Max 156W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V
Supplier Device Package 32-PQFN (6x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok