Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRFH7911TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IRFH7911

IRFH7911TR2PBF Hakkında

IRFH7911TR2PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ile 13A ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate sürme gereksinimleri ile çalışabilir. 8.6mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 18-PowerVQFN PQFN (5x6) yüzey montajlı paket tipi kullanılır. Motor kontrol, LED sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılan bir bileşendir. 2.4W ve 3.4W maksimum güç derecelendirmesi ile uygun uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 28A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 18-PowerVQFN
Part Status Obsolete
Power - Max 2.4W, 3.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok