Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRFH4257DTRPBF
IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IRFH4257
IRFH4257DTRPBF Hakkında
IRFH4257DTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük giriş geriliminde çalışabilir. 3.4mOhm on-state direnci sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. Surface Mount pakette sunulan bu bileşen, güç kontrolü, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına ve 25-28W maksimum güç tüketimine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1321pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25W, 28W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | Dual PQFN (5x4) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok