Özel IC'ler

IRFB3307ZPBF

IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO

Paket/Kılıf
TO-220-3
Kategori
Özel IC'ler
Seri / Aile Numarası
IRFB3307

IRFB3307ZPBF Hakkında

IRFB3307ZPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 75V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, 5.8mΩ düşük on-dirençi (Rds On) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 230W maksimum güç yayılımı kapasitesi, AC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10V gate sürüş gerilimi ile kolaylıkla kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power Dissipation (Max) 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok