Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF9953PBF
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF9953
IRF9953PBF Hakkında
IRF9953PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 2.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 250mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, analog anahtarlama, PWM kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. 12nC gate charge ve 190pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok