Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF9952QPBF
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF9952
IRF9952QPBF Hakkında
IRF9952QPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ile 3.5A maksimum sürekli drain akımına sahiptir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltajla kontrol edilebilir. 8-SO yüzeye monte pakette sunulan bu FET, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer bulur. Gate charge 14nC olup hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok