Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF9952PBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9952

IRF9952PBF Hakkında

IRF9952PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör paketidir. N-kanallı ve P-kanallı FET'leri içeren bu komponent, 8-SOIC yüzey monte paketi ile sunulmaktadır. 30V Drain-Source gerilim desteği ve Logic Level Gate özelliğiyle, düşük kontrol gerilimleriyle çalışabilir. Maksimum 3.5A (N-kanallı) ve 2.3A (P-kanallı) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 100mOhm RDS(On) değeri ile sınırlı güç tüketimi sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bu komponent Digi-Key'de üretimi durdurulmuş olarak listelenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok