Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF9952
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF9952
IRF9952 Hakkında
IRF9952, Infineon Technologies tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-channel MOSFET çiftinin tek paket çözümüdür. 30V drain-source voltaj ile tasarlanmış bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir ve 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. 3.5A (N-channel) ve 2.3A (P-channel) continuous drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük on-dirençi (100mOhm) ve minimum gate charge (14nC) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Eğitim, prototipling ve endüstriyel uygulamalar gibi genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok