Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF9910TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF9910
IRF9910TRPBF Hakkında
IRF9910TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source gerilim sınırlaması ile 10A-12A sürekli drain akımı sunmaktadır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile tetiklenebilir. 9.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A, 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok