Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF9910

MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9910

IRF9910 Hakkında

IRF9910, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V drain-source voltajında 10A sürekli akım kapasitesiyle, logic level gate özelliğine sahip olup düşük sinyal seviyeleriyle kontrolü sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi içinde iki N-Channel transistör bulunur. RDS(on) değeri 13.4mOhm @ 10A, 10V olup anahtarlama uygulamalarında düşük iletim kaybı sağlar. Gate threshold voltajı maksimum 2.55V @ 250µA'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında kullanılmasını mümkün kılar. Düşük input kapasitans (900pF @ 10V) ve düşük gate charge (11nC @ 4.5V) özelliğiyle hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A, 12A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok