Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF9395MTRPBF

DIRECTFET DUAL P-CHANNEL POWER M

Seri / Aile Numarası
IRF9395

IRF9395MTRPBF Hakkında

IRF9395MTRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel power MOSFET transistördür. DirectFET™ Isometric MC paket tipinde sunulan bu komponentin maksimum drain-source gerilimi 30V, sürekli drain akımı 14A (Ta) / 75A (Tc) olarak belirtilmiştir. Rds(on) değeri 7mOhm (14A, 10V koşullarında) ile düşük iletim direnci sağlar. Gate threshold gerilimi maksimum 2.4V (50µA) civarındadır. Input capacitance 3241pF (15V'de) ve gate charge 64nC (4.5V'de) olarak ölçülmüştür. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve düşük gerilim güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface mount montaj özelliği ve yüksek akım kapasitesi ile kompakt tasarımlar için elverişlidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta), 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3241pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case DirectFET™ Isometric MC
Part Status Active
Power - Max 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package DirectFET™ Isometric MC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok