Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF9389TRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9389

IRF9389TRPBF Hakkında

IRF9389TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8-SO yüzey montajlı paket içerisinde, her kanal için farklı drain akımlarına sahiptir (N-Ch: 6.8A, P-Ch: 4.6A). 30V drain-source gerilim derecelendirmesi ile orta güç uygulamaları için uygun olan bu bileşen, Logic Level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle (Vgs(th) max 2.3V) çalıştırılabilir. 27mOhm RDS(on) değeri ile minimal ısı kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı analog/dijital uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok