Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF9389PBF

MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF9389

IRF9389PBF Hakkında

IRF9389PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET entegre devresidir. N-channel ve P-channel transistörleri aynı pakette içeren bu komponent, 30V drain-source gerilimi ve 6.8A (N-CH) / 4.6A (P-CH) sürekli akım kapasitesi ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük gerilim lojik devrelerle doğrudan arayüzlenmeyi sağlar. 27mOhm'luk düşük on-direnç (RDS(ON)) ve 14nC gate charge değerleri ile anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 398pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Market
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok