Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8915TR
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8915
IRF8915TR Hakkında
IRF8915TR, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 8.9A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. 18.3mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim direnci sunmaktadır. 8-SOIC yüzey montajı paketinde gelmektedir. -55°C ile 150°C aralığında çalışabilmektedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve dijital lojik devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır. Son ürün statüsü itibariyle yerine konan alternatif bileşenler önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok