Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8915PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8915
IRF8915PBF Hakkında
IRF8915PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliği ile düşük gate voltajında çalışabilir. 20V drain-source voltaj desteği ve 8.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 18.3mOhm (@ 8.9A, 10V) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount paketlemesi (8-SO) ile kompakt devre tasarımlarına uygundur. Anahtarlama, kontrol ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında dayanıklı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok