Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF8915

MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8915

IRF8915 Hakkında

IRF8915, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 8.9A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu entegre, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 18.3mΩ on-state direnç (Rds On) ve düşük gate charge (7.4nC) sayesinde hızlı komütasyon sağlar. 8-SOIC SMD paketinde sunulan IRF8915, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları, LED sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Ancak bu parça obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok