Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8910PBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8910
IRF8910PBF Hakkında
IRF8910PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan IRF8910PBF, düşük 13.4mOhm RDS(on) direnci ile güç uygulamalarında, anahtar devrelerde ve sinyal kontrolü gerektiren tasarımlarda kullanılır. Maksimum 2W güç dağıtabilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. 2.55V threshold gerilimi ile kontrol devreleri tarafından doğrudan tahrik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok