Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8910GPBF
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8910
IRF8910GPBF Hakkında
IRF8910GPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile, logic level gate kontrolüne sahiptir. 13.4mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan IRF8910GPBF, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleri ile doğrudan yönetilebilir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok