Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF8513TRPBF

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF8513

IRF8513TRPBF Hakkında

IRF8513TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim sınırlaması ile 8A-11A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim uygulamalarında kolayca tetiklenebilir. 15.5mOhm RDS(On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu MOSFET, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüler ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, 1.5W-2.4W güç yönetim kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (8.6nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A, 11A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 766pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.5W, 2.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok