Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8513PBF
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8513
IRF8513PBF Hakkında
IRF8513PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8A/11A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate yapısı sayesinde düşük gerilimli kontrol devreleriyle doğrudan kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanan IRF8513, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve gerilim düzenlemesi gibi alanlarda kullanılır. RDS(on) değeri 15.5mOhm ile düşük ısıl kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (8.6nC) nedeniyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 766pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.5W, 2.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok