Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8313TRPBF
IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8313
IRF8313TRPBF Hakkında
IRF8313TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel HEXFET power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 15.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok