Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF8313PBF
HEXFET POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF8313
IRF8313PBF Hakkında
IRF8313PBF, Rochester Electronics tarafından üretilen 2 adet N-Channel MOSFET içeren bir dizi transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.7A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu komponent, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 15.5mΩ on-direnç (10V, 9.7A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. 9nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bu HEXFET transistörü, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 175°C) kararlı performans gösterir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve LED sürücü devrelerine uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok