Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7910TRPBF

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7910

IRF7910TRPBF Hakkında

IRF7910TRPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 12V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile tetiklenmesi mümkündür. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, LED sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Rds(on) değeri 4.5V gate geriliminde 15mOhm olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok