Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7910PBF
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7910
IRF7910PBF Hakkında
IRF7910PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 10A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 26nC gate charge değerine sahiptir. 15mOhm on-resistance (Rds On) ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında kompakt çözüm sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtar modunda güç kaynakları ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok