Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IRF7907PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- IRF7907
IRF7907PBF Hakkında
IRF7907PBF, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör. 30V drain-source gerilimi ve 9.1A/11A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 16.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. 2.35V eşik gerilimi sayesinde düşük voltaj sürüldüğünde hızlı açılış ve kapanış sağlar. Surface mount 8-SO paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüsü, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A, 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.4mOhm @ 9.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok