Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IRF7902TRPBF

HEXFET POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
IRF7902

IRF7902TRPBF Hakkında

IRF7902TRPBF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel HEXFET power MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltajı ve 6.4A-9.7A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 22.6mOhm-14.4mOhm arasında RDS(on) değerine sahip bu bileşen, düşük on-dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. Gate charge değerleri 6.9nC-9.8nC arasında değişmektedir. Surface mount 8-SO paket türünde sunulan komponent, -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama devreler ve düşük gerilim uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 580pF @ 15V, 900pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.4W (Ta), 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok